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本发明提供一种片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件，在衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成光学阵列层，在光学阵列层上形成隔离层，在隔离层上形成二维材料层，在二维材料层上形成介质层，在介质层上形成双曲超材料层。其中，当光学阵列层的光子模式的谐振峰与二维材料层的激子峰的波长相等时，会导致二维材料层的发光强度增强。此外，双曲超材料层的表面等离子体激元会与二维材料层产生强耦合作用，进一步增强珀塞尔效应。本发明利用双曲超材料增强二维材料的珀塞尔效应，不仅能够实现片上光源的发光强度的显著提升，还能实现高发光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097356 B
(45)授权公告日 2022.02.25
(21)申请号 202110259593.3 H01L 33/18 (2010.01)
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