集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件5.7 离子注入的其它应用.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 离子注入的其它应用第五章 离子注入 离子注入的其它应用JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 离子注入的其它应用 1.1浅结的形成随着芯片特征尺寸的缩小，结深要求越来越浅，而现代掺杂工艺的最大挑战是超浅结的形成。形成浅结的方法主要有：降低注入离子能量;分子注入法，如B+注入 采用BF2+，在Si中分解出原子B;预先非晶化：先注入Si+、Ge+、Sb+，再注入所需离子，如B+。 离子注入的其它应用 1.2调整MOS管的阈值电压VTn-SiPPSiO2VT?SiO2SiO2BMOS管VT：使硅表面处在强反型状态下所必须的栅压。通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入，然后经过适当退火达需要的杂质浓度，便能实现调整VT的目的。 离子注入的其它应用 1.3自对准硅栅结构n-SiSiO2PSi栅n-SiSiO2PAlXj0.8Xj扩散形成寄生电容大B自对准硅栅结构扩散方式MOS管 离子注入的其它应用 1.4离子注入在SOI结构中的应用O+4×1017~2×1018atoms/cm2→ 退火→ 外延A氧化→ 注氢H+5×1016atoms/cm2→键合B注氧注氧隔离（SIMOX）技术制作SOI片的工艺流程：智能剥离（SmartCut）技术制作SOI片的工艺流程：→两步热处理 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 2.1离子注入与热扩散技术比较内 容热扩散离子注入动力高温、杂质的浓度梯度，平衡过程动能，5-500KeV，非平衡过程杂质浓度受固溶度限制掺杂浓度过高、过低都无法实现浓度不受限结深结深控制不精确，适合深结结深控制精确，适合浅结横向扩散严重，约是其纵向扩散线度的0.75-0.87倍较小，在快速退火时，几乎可忽略均匀性电阻率波动约5%以上电阻率波动约1%温度高温工艺，约在950~1170℃常温注入，热退火温度约在600~950℃掩膜二氧化硅光刻胶、二氧化硅或金属薄膜工艺卫生易沾污高真空、常温注入，清洁晶格损伤小损伤大，退火也难以完全消除设备、费用设备简单、价廉复杂、费用高应用深层掺杂，如大功率器件浅结的超大规模电路 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可