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2023-06-18 发布于黑龙江
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MOS管的基础特性与实际应用.docx

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第第 PAGE 1 页共 NUMPAGES 1 页 MOS管的基础特性与实际应用 MOS管相对于三极管，因其没有结点电压，深受广大电子发烧友欢迎。这里重点讲MOS的基础特性与实际应用。一、MOS管的基础特性（1）MOS管有栅极G，漏极D，源极S；（2）PMOS管（类似于PNP），低电平导通，高电平截止； PMOS管（3）NMOS管（类似于NPN），高电平导通，低电平截止。 NMOS管二、MOS管的开关特性应用 1、阻断VCC端用于阻断VCC端，使用PMOS管，且源端S接VCC端。使用Multisum（仿真），效果如下：（1）G极接低电平（2）G极接高电平 2、阻断GND端用于阻断GND端，使用NMOS管，且源端S接GND端。使用Multisum仿真，效果如下：（1）G极接低电平（2）G极接高电平三、MOS管的实际应用（1）替换三极管因MOS管没有结点电压，三极管有0.3V的CE极结点电压，故常用于替换三极管，做（信号）端控制。（2）用于低功耗电路的（电源）输出控制在做电池供电类的低功耗产品时，对于主控休眠时，电源控制需要对不工作的电路部分，进行断电，来减少电量损耗。如遥控器不操作时，（芯片）休眠，且断开对（射频）部分的供电。（3）用于防反接电路防反接防止电路中，VCC与GND接反，导致电路烧坏。（4）用于推挽输出推挽输出