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本申请涉及一种基于GaN的MIS‑HEMT器件的制备方法和比较器电路,属于微电子技术领域,该方法包括:对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀;对刻蚀后的栅槽进行清洗;确定清洗后的栅槽的深度是否与期望阈值电压匹配;在清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压不匹配的情况下,再次对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀,直至清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压匹配时停止;可以解决基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的阈值电压过负问题;可以通过多次刻蚀增大阈值电压,使得耗尽型器件和增
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113223950 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110532549.5
(22)申请日 2021.05.17
(71)申请人 西交利物浦大学
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