原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种具有三种区域的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源电极(6)和漏电极(7)，栅电极(8)，轻掺杂区域(9)，氮化硅绝缘区域(10)和重掺杂区域(11)。本发明可以达到以下效果：饱和电流的提高、击穿电压的提高、频率特性的改善和PAE的提高。由于沟道内重掺杂区域的存在，器件的跨导有显著提高，使得器件的PAE有所提高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257887 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110307399.8
(22)申请日 2021.03.23
(71)申请人 西安
文档评论（0）