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第1页/共28页md03半导体二极管第2页/共28页一、二极管的结构第3页/共28页发光二极管的舞台效果第4页/共28页二、二极管的类型按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型二极管----不允许通过较大的电流，可在高频下工作面接触型二极管----结面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作按用途分整流二极管稳压二极管检波二极管开关二极管发光二极管变容二极管………第5页/共28页三、二极管的特性伏安特性正向伏安特性反向伏安特性击穿特性温度特性电容特性第6页/共28页I / mAI / m 25– 50–50–2500.20.4U / V0.5–0.0101.0U / V–0.02– 0.002– 0.0041、伏安特性 流过二极管的电流与加在二极管两端的电压的关系曲线I = f (U )就是二极管的伏安特性。硅管的伏安特性锗管的伏安特性正向特性击穿电压反向特性死区电压第7页/共28页I / mA604020I / mA0.400.8U / V6040200.400.8U / V正向特性当正向电压较小时，正向电流很小，几乎为零。死区死区电压（门坎电压）死区电压与材料和温度有关硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大硅管导通电压0.7V锗管导通电压0.2V死区材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十μA第8页/共28页I / mAU / V–50–250反向饱和电流– 0.02击穿电压U(BR)– 0.04反向特性二极管加反向电压，反向电流很小。当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和；击穿——反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大。反向击穿电压电击穿可逆——击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。热击穿不可逆第9页/共28页伏安特性表达式(二极管方程)其中，IS ——反向饱和电流 UT ——温度的电压当量；在常温(300 K)下，UT ? 26 mV二极管加反向电压，即 U 0，且 |U | UT ，则二极管加正向电压，即 U 0，且 U UT ，则电流I 与电压U 基本成指数关系。第10页/共28页I / mA15105– 25– 5000.20.4U / V–0.01–0.02伏安特性总结二极管具有单向导电性加正向电压时，导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合加反向电压时，截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开应用：整流二极管 检波二极管 开关二极管二极管是非线性器件实践：如何用万用表检测二极管？第11页/共28页IZI / mA–50–250U / V– 0.02VDZ– 0.04IR++RIOUOUIRL2、击穿特性击穿---反向电压大到一定数值时，反向电流会突然快速增大。电击穿可逆热击穿不可逆应用：稳压管第12页/共28页3、温度特性温度升高时，反向饱和电流增大，正向电流也增大。温度升高10℃，IS 约增加1倍。 应用:温度补偿二极管 第13页/共28页4、电容特性结电容Cj Cj=CD+CB应用：变容二极管第14页/共28页四、二极管的主要参数最大整流电流 IF ————二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。最高反向工作电压 UR ————工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。反向电流 IR最高工作频率fM ————fM 值主要 决定于PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。第15页/共28页五、二极管电路的分析图解分析法简化模型分析法二极管的模型理想模型 （√）恒压降模型（√）折线模型小信号模型简化模型分析法第16页/共28页即 1、图解分析法例 电路如图所示，已知二极管的V-I 特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 VDD / R负载线IDQ解：由电路的KVL方程，可得 VDVDD是一条斜率为-1/R 的直线，称为负载线 Q 的坐标值（VD，ID）即为所求，Q点称为电路的工作点。第17页/共28页（1）理想模型 （a）V-I 特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 2、二极管的简化模型第18页/共28页（2）恒压降模型（3）折线模型（a）V-I 特性 （b）电路模型 （a）V-I 特性 （b）电路模型 2、二极管的简化模型第19页/共28页即根据（a）V-I 特性 （b）电路模型则 2、二极管的简化模型（4）小信号模型 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻得Q点处的微变电导常温下（T=300K） 小信号模