半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdf

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提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：包括第一区域和在第一方向上与第一区域相邻的第二区域的衬底；相邻地设置在衬底上并且包括在第一方向上延伸的第一有源图案和与第一有源图案平行地延伸的第二有源图案的成对的有源图案；位于第一区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极；以及位于第二区域上并且在第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第二栅电极。第一有源图案在第一区域上的宽度大于在第二区域上的宽度，第二有源图案在第一区域上的宽度大于在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823321 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202111177880.6 (22)申请日 2021.10.09 (30)优先权数据 10-2021-0013227