半导体存储器装置.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种存储器装置,包括衬底以及包括交替地堆叠在衬底上的字线和层间绝缘图案的堆叠件。字线在第一方向上延伸。半导体图案与字线交叉,并且具有平行于第二方向的纵向轴。半导体图案在第一方向和第三方向上彼此间隔开。位线在第三方向上延伸,并且在第一方向上彼此间隔开。位线中的每一条接触半导体图案的在第三方向上彼此间隔开的第一侧表面。包括分别设置在竖直相邻的层间绝缘图案之间并且接触与第一侧表面相对的第二侧表面的数据存储元件以及设置在衬底的位于堆叠件的两侧的部分中的衬底杂质层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512487 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111303361.X (22)申请日 2021.11.04 (30)优先权数据 10-2020-0152659

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