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- 2023-06-17 发布于四川
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形成半导体器件的方法包括：形成在衬底之上突出的鳍结构，其中，鳍结构包括鳍和位于鳍上面的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口穿过层堆叠件延伸至鳍中；在开口的底部中形成介电层；以及在介电层上的开口中形成源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域通过介电层与鳍分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512404 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202210059692.1 H01L 29/06 (2006.01)
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