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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种调控NaGdF4:Eu3+薄膜晶相的方法,利用阳极恒电位沉积的方法,并通过调节沉积电位即可制备得到纯六方相和立方相的NaGdF4:Eu3+薄膜,整个调控方法具有操作简单、条件温和、沉积时间短、成本低廉的特点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113279064 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202110480185.0 C30B 29/12 (2006.01)
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