载流子的行为问答.pptVIP

里德利·沃特金斯和希尔萨姆的转移电子理论对耿氏效应做出了解释，它是以某些半导体导带的多能谷结构为基础的。让砷化镓晶体承受强大的流体静压力，使其改变能带结构，结果观察到了理论预期的效应，这个实验证明了转移电子理论的正确性。以此理论为指导又发现在N型锗和N型磷化铟、砷化锢、硒化锌等Ⅲ-V、Ⅱ-Ⅵ族化合物中也存在耿氏效应，但目前研究和应用最多的仍是砷化镓。 耿氏效应是在强电场下的效应，我们应该注意载流子在电场中的行为。半导体中的载流子一方面在电场作用下做定向加速运动，另一方面又要参与杂乱的热运动，不断与晶格发生频繁的碰撞。在一定的电场作用下，两类运动会达成某种平衡，建立起载流子的漂移速度和稳定的电流密度j。它们与电场强度的关系已由式(1-2)表示，即 1-2 第八十九页，共一百四十页，2022年，8月28日 当外加电场较弱时．迁移率μ和电导率σ与?无关，υd，j与?存在线性关系；当电场强度接近或超过105V／m时，μ、σ不能视为与电场强度无关的常数，υd，j 表现出与?的非线性关系，μ随?的增加而降低。这时，载流子处于非平衡状态，单位时间从电场中获得的能量超过受晶格散射时给予晶格的能量，使其平均能量和平均速度比热平衡时的大。在平均自由程不变的情况下，平均自由时间减小，即更加频繁地与晶格碰撞，因而迁移率降低。当?不是很强时，载流子主要吸收和发射声学声子，μ有所降低；当?进一步增