半导体装置的形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

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本文涉及一种半导体装置的形成方法，所描述的各种半导体技术能够缩小鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸及/或增加鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸。可使用材料通过选择性沉积来缩小鳍式场效晶体管的一个或多个x方向尺寸，而通过蚀刻来增加或扩大鳍式场效晶体管的一个或多个y方向尺寸。鳍式场效晶体管的金属漏极的x方向尺寸、鳍式场效晶体管的主动区的x方向尺寸及/或鳍式场效晶体管的多晶硅区的x方向尺寸可通过选择性沉积氮化硼、碳化硼、氧化硼(例如B2O3)、氟碳聚合物及/或其他材料来增加。此选择性沉积通过蚀刻可允许鳍式场效

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883258 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210113321.7 (22)申请日 2022.01.30 (30)优先权数据 63/200,863 2021