半导体装置及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括:衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层;第一层上的第二层;第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层;第一层与第二层间的第四层;以及第二层与第三层间的第五层,其中,第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上,第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上,并且,第四层及第五层包括具有阻挡性的层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114424339 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202080065554.3 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公

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