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一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置.pdf

    本发明实施例公开了一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置，该方法包括：获取第一标准片的第一标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；获取第二标准片的第二标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。采用上述技术方案，检测方法简单，同时还可以调整精度，以更加高效

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113325004 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202110767105.X (56)对比文件 (22)申请日 2021.07.07

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