半导体物理学-(第七版)-习题答案分解.docxVIP

3－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，试求锗的载流子有 m m *。计算77k 时的Nc和Nv。已知300k时，Eg＝0.67eV。77k时Eg＝0.76eV。求这两个温 效质量n*和 p 度时锗的本征载流子浓度。② 77k，锗的电子浓度为 17 －3 ，假设浓度为零，而 Ec－ED＝0.01eV,求锗中 10cm 施主浓度N为多少？ D [解]①室温下，T=300k（27℃）,k 0=1.380×10-23J/K，h=6.625×10-34J·S， 关于锗：Nc＝1.05×1019cm－3，Nv=5.7×1018cm－3： ﹟求300k时的Nc和Nv： 根据（3－18）式： 3 2 Nc2 34 2 1.05 10192 2(2 mn*k0T)2 * h ( 2)3 (6.62510 ) ( 2 )3 5.096810 31 Kg根据（3 Nc h3 mn 2 k0T 2 3.14 1.38 1023 300 －23）式： 3 Nv 2(2 m*pk0T)2 h3 的Nc和Nv： 3 Nc 2(2 mn*k0T)2 h3 Nc 3 2(2 mn*k0T)2 h3 同理：  2 (6.6251034)2(5.7 1018 2 h2(Nv)3 )3 * 2 2 3.39173 10 31 Kg﹟求77k 时 mp k0T 23.141.381023 2 300 3 3 3 (T)2 ;Nc (T)2 Nc (77)2 1.051019 1.3651019 T T 300 Nv (T)23 Nv (77)23 5.71018 7.411017 T 300 ﹟求300k时的ni： 1 Eg 1019 1018)exp( 0.67 1.961013 ni (NcNv)2 exp( ) (1.05 5.7 ) 2k0T 0.052 求77k时的ni： 1 Eg 0.76 1.6 1019 ni (NcNv)2 exp( ) (1.05 1019 5.7 1018)exp( ) 1.094 107②77k 2k0T 2 1.381023 77 时，由（3－46）式获得： D 1.6×10 -19 0 ＝1.38×10 -23 0 ＝ 17 ；Nc＝1.365 19-3 Ec－E＝0.01eV＝0.01× ；T＝77k；k ；n 10 ×10cm； [n0exp(Ec ED)]2 2 [1017 exp(0.01 1.610－19 )]2 2 ND 2k0T ＝ 2 1.38 1023 77 ＝6.6 10 16 ；[毕] Nc 1.365 1019 3－8．（P82）利用题 7所给的Nc和Nv数值及Eg＝0.67eV，求温度为 300k和500k 时，含施主浓度ND＝5 1015cm-3，受主浓度NA＝2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？ [解]1)T＝300k时，关于锗：ND＝5×1015cm-3，NA＝2×109cm-3： 1 1 Eg ni (NcNv)2exp( ) 1.96 1013cm3； 2k0T n0 ND NA 51015 2109 51015； n0 ni； p0 ni2 (1.961013)2 7.7 1010； n0 5 1015 2）T＝300k时： Eg(500) Eg(0) T2 4.774 104 5002 0.7437 500235 0.58132eV； T 查图3-7(P61)可得：ni 2.2 1016，属于过渡区， 1 n0 (ND NA)[(ND NA)2 4ni2]2 2.464 10 16 2 ； p0 ni2 1.964 1016。 n0 （本题中，也能够用此外的方法获得 ni： (Nc) 3 (Nv)300k 3 1 Eg 300k 500 2 500 2 ；ni (NcNv) 2 exp( )求得ni）[毕] Nc 3 ；Nv 3 2k0T 3002 3002 3－11．（P82）若锗中杂质电离能△ ED＝0.01eV，施主杂质浓度分别为 ND＝1014cm-3及1017cm-3，计算(1)99% 电离，(2)90%电离，(3)50%电离时温度各为多少？ [解]未电离杂质占的百分比为： D_ 2NDexp ED ED＝lnD_Nc； Nc k0T k0T 2ND 求得： ED0.01 k0T1.3810  23 1.6 1019 116； 3 2(2mn* k0)2 15 3 3 210 (T 2 ) Nc 3 /cm h 3 3 116 D_Nc D_ 21015T2 1015 ∴ ln( T ln ln( ) D_T2) 2ND 2ND ND -3 ND=10cm，99%电离，即D_=1-9