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电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-23 发布于四川
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电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法.pdf

    本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113481484 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202110745661.7 C23C 16/455 (2006.01)

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