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本揭露提供一种存储器器件及其制造方法。存储器器件包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、第一隔离结构、栅极介电层、沟道层及导电柱。第一堆叠结构与第二堆叠结构各自包括多个栅极层并位于衬底上且通过沟槽彼此隔开。第一隔离结构位于沟槽中，单元区在沟槽中分别被限制在两个相邻的第一隔离结构之间，第一隔离结构各自包括第一主层及环绕第一主层的第一衬层，第一衬层将第一主层与第一及第二堆叠结构隔开。栅极介电层位于单元区中，且覆盖第一与第二堆叠结构的相对侧壁及第一隔离结构的相对侧壁。沟道层覆盖栅极介电层的内表面。导电柱在单元
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437079 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110705544.8 H01L 27/1157 (2017.01)
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