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- 2023-06-25 发布于四川
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本发明公开的一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，规划多个block；步骤S2，设置多个不同的修正值；步骤S3，确定修正值的连线方式，在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层；步骤S4，样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block；步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动顶层金属mask光罩就可以进行芯片大规模的量产，这样制作方法不仅节省了大量的宝贵时间，有效提高单wafer晶圆成功率和缩短芯片设计周
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116314181 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310257182.X G06F 30/394 (2020.01)
(22)申请日 2023.03
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