4Sheet抵抗测量分析和总结.docx

- - PAGE 2 - 4. Sheet 抵抗测量(四探针法) 王晓凤 Sheet 抵抗是判断成膜质量的重要指标之一。金属配线及 ITO 膜的 Sheet 抵抗大小直接影响 TFT 器件的电气特性。Sheet 抵抗分布的均一性则对整个Panel 显示的均一性有重要影响。 成模时 Sheet 抵抗的均一性间接反映了膜厚的均一性，是生产上监测膜质的重要方法。 S1 生产线上使用的 Sheet 抵抗测量设备是日本Napson。 一. 四探针法测定原理 采用四探针法对金属膜和 ITO 膜表面 Sheet 抵抗进行测量。探测器有 4 根探针（Probe） X1，X2，X3，X4，呈一直线排列。每两个探针之间大约相距 1mm。测量时，将探针充分接触被测导电膜表面。给最外侧的探针 X1，X4 之间加恒流源 I，则在导电薄膜表面有电流 I 流过。用电压计测量探针 X2，X3 间的电压值 V。通过I，V 可以计算导电薄膜表面电阻Rs。 Sheet 抵抗： Rs=K（V/I） [单位：Ω / ] K=4.5324 电阻率（体电阻）： R=Rs×导电膜膜厚 [单位：μ Ω cm] 系数 K 由 4 探针法本身决定，和导电膜的材质以及使用的测量设备无关。Sheet 抵抗测试对象厚度有一定要求，超过规定范围的导电膜不再表现出面电阻性质。 测量时，探针上附加 50 克砝码用于保证探针和导电膜表面良好接触。 二. 测试步骤 Sheet 抵抗测量设备由 Cassette Stage，测试腔和控制系统三大部分组成。测试腔包括测量平台（采用真空吸附放置玻璃基板，可以在 X，Y 方向移动），测试探头以及除静电装置。该检测设备采用机械手控制基板位置，可以实现自动连续测量。 具体测量步骤如下： 在计算机系统设置测量 Recipe（测量基板位置，测量点数，测量模式等）； 测量基板 Cassette 放入Stage； 机械手取出指定基板，进行测量，并自动更换测量位置； 显示测量数据及处理结果（Sheet 抵抗数值 Rs 及均一性百分比Unif）。 三. 测试对象和频度 Sputter 工艺的 ITO，Al-Nd，Mo-Nb，Cr 等薄膜以及 CVD 工艺的 N+-a-Si 膜均需进行 Sheet 抵抗的测量。 生产线投产初期需要对试做玻璃基板进行全数检查，生产正常运行后，每种薄膜每天进行一次 Sheet 抵抗测量，以确定膜质符合生产要求。 Y X15.0 Y X 15.0 145.0 275.0 405.0 535.0 测量位置 2 维 Sheet 抵抗分布 X Y 以 AlNd 膜 Sheet 抵抗测量为例，基板成膜 220nm 后进行 Sheet 抵抗 25 点自动测量。测量位置，测量数据及分析结果如表 1 所示。 表 1 测量位置（单位：mm）与测量结果（单位：Ω/□） 15.0 0.5184 0.5145 0.5209 0.5281 0.5197 172.5 0.5020 0.5234 0.5317 0.5277 0.5119 330.0 0.5081 0.5335 0.5388 0.5388 0.5130 487.5 0.5034 0.5339 0.5342 0.5184 0.4946 645.0 0.5018 0.4929 0.5006 0.5064 0.5049 Max: 0.5388 Min: 0.4929 Ave: 0.5169 Unif: 4.45%