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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明公开了一种具有超低介电损耗的液晶化合物、组合物和高频组件,化合物的结构式如式Ⅰ所示:其中R选自碳原子数为1~10的烷基或烷氧基、碳原子数为2~10的烯基或烯氧基、氟化烷基、氟化烯基和环烷基或含环烷基取代的烷基;X1~X8为甲基或氢,且X1~X8中至少有两个取代基是甲基;Z1和Z2分别选自单键、‑C≡C‑、‑CH=CH‑、‑CF=CF‑和‑CH2CH2;A环为苯环、环己烷或环己烯,其中苯环上的氢原子还可以被甲基或卤素取代;n=0、1或2。本发明液晶化合物及其组合物不仅具有超低的介电损耗和高的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116332800 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111596791.5 C09K 19/30 (2006.01)
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