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半导体的欧姆接触 (2023-03-30 15:06:47)转载▼ 标签： 杂谈 分类： 补充大脑 1、欧姆接触 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的转变。 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的外表态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看， 要形成欧姆接触，对于 n 型半导体，应中选择功函数小的金属，即满足 Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n 型反阻挡层。而对于 p 型半导体，应中选择功函数大的金属与半导 体形成接触，即满足 Wm》Ws，使金属与半导体之间形成 p 型反阻挡层。但是由于外表态 的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于 n 型半导体而言，即使 Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 2、一些常用物质的的功函数目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于 n 型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于 p 型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有 Cu、Ag、Pt、Ni 2、一些常用物质的的功函数 物质 Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 功函数 4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 3、举例 n 型的 GaN—— 先用磁控溅射在外表溅射上 Ti/Al/Ti 三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进展快速退火：先600 摄氏度—后 900 摄氏度——形成欧姆接触； p 型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag 合金靶材在材料外表溅射一层CuAg 合金。 欧姆接触 [编辑] 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线〔I-V curve〕的区域。假设电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 名目 名目 [隐蔽] ? ? ? ? ? ? ? 1 理论 试验特性 欧姆接触的制备 技术角度上重要的接触类型 重要性 参考资料 7 参见 理论[编辑] 任何两种相接触的固体的费米能级〔Fermi level，或者严格意义上，化学势〕必需相等。费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为 和 。当两种材料相接触时，电子将会从低功函〔高 Fermi level〕一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函〔高 Fermi level〕的材料将带有少量正电荷而高功函〔低Fermi level〕材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为 。这种 接触电势将会在任何两种固体间消灭并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原 因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的缘由。明显的能带弯曲在金属中不会消灭由于他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n 型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p 型半导体相接触。 在经典物理图像中，为了抑制势垒，半导体载流子必需获得足够的能量才能从费米能级跳到 弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量 是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对 于 n 型半导体， 当中 是半导体的电子亲合能〔electron affinity〕， 定义为真空能级和导带〔CB〕能级的差。对于p 型半导体， 其中 是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热放射。真实的接触中 一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB 近似描述了最简洁的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度打算了厚度， 其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度导体内存在的掺杂来计算: 可以通过解泊松方程以及考虑半 在 MKS 单位制 是净电荷密度而 是介电常数。几何构造是一维的由于界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数 依据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中 被用于调整剩下的积分常数。这一 方程描述了插图右 手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置 来打算，结果为 对于 0 x W， 受主净电荷密度 是完全耗尽的半导体中离子化的施主和以及 是电荷。 和 对于n 型半导体取正号而 对于p 型半导体取负号，n