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本发明提供了一种抗反射的微纳结构材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层；步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；步骤4，采用磁控溅射技术在步骤3中制绒的单晶硅片表面上沉积一层银膜，厚度12～16nm；步骤5，将步骤4中的沉积银膜的硅片置于H2O2和HF的混合溶液刻蚀；步骤6，将步骤5反应后的硅片置于30vol％的浓度HNO3溶液中，超声清洗3～5min，以去除表
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707753 A
(43)申请公布日
2021.11.26
(21)申请号 20201
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