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- 2023-07-05 发布于四川
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本实用新型提供一种半导体封装结构,包括:重布线结构;倒装在所述重布线结构一侧的芯片,所述芯片的有源面包括焊盘面和包围所述焊盘面的边缘面,所述边缘面和所述芯片的侧壁之间设置有阶梯状的凹槽;导电件,位于所述芯片的焊盘面和所述重布线结构之间;位于所述芯片和所述重布线结构之间的底填胶层,所述底填胶层包封所述导电件的侧壁和芯片的部分侧壁且填充在所述凹槽内。所述半导体封装结构的结构稳定性好。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219303648 U
(45)授权公告日 2023.07.04
(21)申请号 202320730351.2
(22)申请日 2023.03.30
(73)专利权人 长电集成电路 (绍兴)有限公司
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