一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源.pdf

本发明公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113805635 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111072369.X (22)申请日 2021.09.14 (71)申请人东南大学地址 21

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