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半导体结构、制作方法及三维存储器.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构、制作方法及三维存储器.pdf

    本发明提供了一种半导体结构、制作方法及三维存储器，半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成待刻蚀膜层；对待刻蚀膜层进行离子注入；在待刻蚀膜层中于垂直于基底的纵向上形成至少一个开口，开口包括第一部分和第二部分，其中，第一部分的纵向深度对应于特定深度，且第一部分的纵向下端的横截面宽度大于第二部分的纵向上端的横截面宽度，通过对待刻蚀膜层进行离子注入之后再进行刻蚀，改变了被离子注入的待刻蚀膜层的刻蚀速率，以在待刻蚀膜层中形成至少一个第一部分的纵向下端的横截面宽度大于第二部分的纵向上端的横截面宽

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809089 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111072584.X (22)申请日 2021.09.14 (71)申请人 长江

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