微电子工艺生产实习报告.pdf

本次微电子工艺生产实习开始于2013 年2 月25 日，历时三周，于2013 年3 月15 日圆满结 束。在本次实习中，预定依次完成以下任务：清洗硅片、一次氧化、光刻基区、硼扩、光刻 发射区、磷扩、光刻引线孔、反刻铝、合金化、中测、划片、上架烧结、压焊、封帽及成测 等工艺。但由于实验室空间有限且人员过多，所以我所在的第二大组第6 小组完成了其中的 一氧、光刻基区、光刻发射区、磷扩、镀铝、压焊、封帽、成测等单项工艺。在实习的最后 两天还参观了哈尔滨晶体管厂。 硅片清洗 购买回来的硅片表面会有封蜡、有机磨料、氧化物磨料等污染，为后续步骤不受污染影 响，需在进行各道工序之前进行清洗。用每一种清洗剂擦拭的时候都应该先擦背面，后擦正 面，因为需将硅片放置在平面上进行擦拭，若先擦拭正面，擦拭背面的时候正面会再次被污 染。在一氧前尤其应特殊进行去油操作，原因是油膜会将硅片与水汽隔离开，无法进行湿氧 氧化。去油所用化学试剂顺序不可颠倒，因为甲苯、丙酮、乙醇对有机物的溶解能力依次下 降，自身溶解能力的顺序则为：甲苯能溶于丙酮，难溶于乙醇，丙酮能溶于乙醇而难溶于水， 乙醇能溶于水。在清洗的过程中若需用水，则应使用高纯度去离子水，标准为大于10M （以 电阻率计），若去离子水的纯度较低，则其中的钠离子在氧化时会进入二氧化硅层，造成PN 结漏电、MOS 器件阈值电压不稳等不良后果。 一氧 一氧采用干氧-湿氧-干氧交替方法，原因是干氧生长的氧化膜致密，针孔少，但速率太 慢；湿氧生长的氧化膜疏松，针孔可能较多，表面潮湿，在光刻时容易浮胶，但生长速率快， 可快速增加氧化层厚度。湿氧氧化层厚度还与氧气的水浴温度有关，且温度越高生长速率越 快，相同时间内氧化膜生长厚度越厚。因为氧化是在 Si-SiO 界面发生，携带水汽的氧气先 2 溶解到已生成的二氧化硅层中，然后在高温下向 Si-SiO 界面扩散并进行化学反应，而温度 2 越高水汽在二氧化硅中的溶解度更高，向内部扩散速度越快。在氧化过程中应采取穿超净服 等措施严格避免钠离子的污染，若实在无法避免掺入了钠离子，则应适当进行掺氯氧化，目 的是将不慎掺入的钠离子固定在一定区域内，降低其电活性。若氧化层太薄或针孔密度过大 及发生其他严重玷污，则氧化层的掩蔽作用将被大大减弱，在后续的硼扩或磷扩过程中将无 法阻挡杂质进入硅衬底，从而破坏了定向定量掺杂的要求。在将硅片推入或拉出高温氧化炉 时都应缓慢进行，以防止硅片及石英舟（石英的东西都好贵好脆啊）产生热应力甚至炸裂。 氧化层厚度不同，其在白光下干涉色彩也不同，用经验的工人或老师都是通过干涉色彩及氧 化时间大致估计氧化层厚度（好厉害）。 光刻基区 光刻基区的大致工艺步骤：预烘—甩胶—前烘—曝光—显影、定影—去胶。其中预烘是 为了去除 Si 片表面氧化层中残留的水汽，避免在涂胶是产生浮胶等不良状况。光刻胶的厚 度由甩胶时间及机器的转速决定，转速控制在3 千转每分钟（和后面划片机器上刀具的转速 相比弱爆了）。涂胶后进行前烘，可去除光刻胶中80%~90% 的有机溶剂。经过曝光（本次实 习使用接触式紫外线曝光）之后光刻胶上以出现肉眼不可见的潜像。经过显影、定影之后就 可以看到和掩膜板上相对应的图像了。此时应镜检胶膜图形，若不合要求应去胶重做；符合 要求的即可进行腐蚀二氧化硅，露出基区表面。最后将光刻胶去除，光刻基区流程完毕 硼扩 硼扩采用两步扩散工艺：预淀积，再分布。预淀积采用恒定源扩散，温度较低，目的是 向硅片中掺入一定量的杂质，再分布采用限定源扩散的方法使预淀积使掺入的杂质在高温下 想 Si 片内部扩散，从而得到一定的浓度分布及结深。本次实习使用固态BN 陶瓷源，因此 需在预淀积之前进行硼源活化，化学方程式为： BN+O B O +NO 2 2 3 X 在硼扩时会发生反应： B O +Si B+SiO （B） 2 3 2 即反应会产生副产物硼硅玻璃。硼硅玻璃中仍残留硼杂质，在后续的再分布中仍会向Si 片 内部扩散，