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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；多个导电构件，其位于所述衬底上方；及隔离结构，其在导电构件之间且使所述导电构件彼此分离。所述导电构件中的每一者包含第一金属层及二维材料层。另一半导体结构包含第一导电构件、所述第一导电构件上方的电介质结构、在所述电介质结构中且耦合到所述第一导电构件的第二导电构件及在所述第二导电构件上方且耦合到所述第二导电构件的导线。在一些实施例中，所述导线包含第一三维材料层、第一二维材料层及第二三维材料层。所述第一二维材料层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871371 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110776783.2 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日
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