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基区扩展效应 基区扩展效应也称为 kirk 效应，它是指当集电结电压不变，而集电极电流增加时，基 区一侧的集电结空间电荷区减薄，中性基区的宽度增大。 以n?pn?n÷外延晶体管为例说明基区扩展的物理过程，为了简单，假定集电结为突变 结。在耗尽层近似下，集电结空间电荷区电荷分布如图1所示。平衡时集电结空间电荷区的 基区一侧的宽度为x?o, 集电区一侧的宽度为xco。且xoNB=xcoNc 。 中性基区的宽度为 W。 W 图 1 当晶体管工作在正向有源模式时，从发射结注入的电子，在通过集电结空间电荷区时， 会对空间电荷区中的正负电荷密度产生影响。设通过空间电荷区的电子密度为n, 考虑到它 的影响，集电结的负空间电荷区电荷密度增加了nq, 正空间电荷区密度减小了nq, 且有： x?(N?+n)=xc(Nc-n) 因此，由于负空间电荷密度的增加，集电结基区一侧的的负空间电荷区将缩小；而集电 区一侧的正空间电荷区也由于正空间电荷区密度减小将向衬底方向扩展，见图1(b)所示，中 性基区的宽度变为W+(xno-x), 即基区展宽了(xo-xg)。 假设电子以饱和速度v,,通过空间电荷区，则当工作电流密度为jc 时 ， 即n 随注入电流jc 的增加而增加。集电极电流愈大， n 的数值越大，负的空间电荷区缩小 的也愈多，正的空间电荷扩大的也愈多。 因此，基区扩展效