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空间高效的高压终端及其制造工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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空间高效的高压终端及其制造工艺.pdf

    本发明公开了一种用于半导体器件的高压终端，该高压终端包括：衬底；注入器件区；浅沟槽，该浅沟槽与该注入器件区相邻；和掺杂扩展区，该掺杂扩展区位于该注入器件区与该浅沟槽的与该注入器件区相邻的第一边缘之间。在该浅沟槽中形成结终端扩展区，该结终端扩展区接触该扩展区并延伸经过该浅沟槽的与该注入器件区相对的第二边缘。在该扩展区的至少一部分上和该结终端扩展区上形成绝缘层。在该绝缘层上形成金属层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875021 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 201980096746.8 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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