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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及光掩模坯料及其制造方法。在包括透明基板和含有过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，以及含有过渡金属及硅中的一者或两者的任选第二无机膜的光掩模坯料中，当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的TOF‑SIMS在透明基板和无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在透明基板和无机膜的界面或无机膜的界面处检测的含碳二次离子强度高于分别在远离界面侧检测的含碳二次离子强度两者。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113867097 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110723451.8
(22)申请日 2021.06.29
(30)优先权数据
2020-1126
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