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形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法.pdf

    根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113862635 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110737506.0 C23C 16/02 (2006.01)

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