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- 2023-07-07 发布于四川
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一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法，该存储单元包括：栅电极层(4)；所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14)；从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10)、第二介质层(11)和沟道层(12)；所述第一介质层(9)和第二介质层(11)均为绝缘材质，用于避免所述铁电薄膜层(10)与所述栅电极层(4)和沟道层(12)接触。该存储单元中，铁电薄膜层(10)不与栅电极(4)和沟道层(12)接触，避免了界面反应和元素扩散，从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871395 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110737900.4 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2
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