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2023-07-08 发布于四川
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一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件.pdf

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本发明公开了一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件，属于功率半导体器件领域，包括，衬底，衬底上形成有第一碳化硅埋层，其中，第一碳化硅埋层为N型碳化硅埋层；有缘顶层，有缘顶层形成在第一碳化硅埋层上，其中，有缘顶层包括源区、阱区、漏极缓冲区、漏区以及漂移区；器件顶层，器件顶层形成在有缘顶层表面，其中，器件顶层包括源极、漏极、栅氧化层、栅极、场氧化层、场板；本发明有效的减少漏极电子的收集，降低漏极缓冲电流，防止器件发生单粒子烧毁效应；同时P型碳化硅埋层的加入会调节顶层硅的表面电场，降低漂移区的电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871482 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111147936.3 (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人杭州电子科技大学地址

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