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一种碳化硅生长坩埚、装置及生长工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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一种碳化硅生长坩埚、装置及生长工艺.pdf

    本发明的实施例提供了一种碳化硅生长坩埚、装置及生长工艺，涉及碳化硅生长技术领域。其中，坩埚主体包括从下往上依次拼接的第一原料装盛部和多个第二原料装盛部；第一原料装盛部的中心位置形成第一容纳腔；第二原料装盛部中部形成呈环形的第二容纳腔；多个第二容纳腔的外径和内径均从下往上逐渐增大；第一容纳腔的外径小于第二容纳腔的外径。导流组件用于碳化硅气氛的导流。坩埚盖组件中，盖体设于导流组件上方，籽晶结构设于盖体内侧。本发明提供的碳化硅生长装置采用了上述的碳化硅生长坩埚。本发明提供的碳化硅生长工艺应用于上述的碳

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116397332 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310572715.3 (22)申请日 2023.05.19 (71)申请人 通威微电子有限公司 地址 610

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