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存储装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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存储装置的制造方法.pdf

    实施方式提供一种包含高性能的存储器元件的存储装置及存储装置的制造方法。一实施方式的存储装置的制造方法包含在半导体衬底的上方形成具有切换功能的状态变化层的步骤。在状态变化层的上表面上形成包含碳的导电体。使导电体的上表面的粗糙度降低。在导电体的粗糙度被降低的上表面的上方形成第1强磁性体。在第1强磁性体的上表面上形成非磁性体。在非磁性体的上表面上形成第2强磁性体。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116406220 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310613258.8 H10N 50/80 (2023.01)

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