存储器测试题.doc

1、现有1024×1的储存芯片，若用它构成16K×8的储存器，试求： 1）实现该储存器所需的芯片数目； 2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该储存器所需的地点线总位数是多少此中几位用于选板几位用于选片几位用于 选片内单元。 2、某储存器容量为16K×8，用4K×4的SRAM芯片构成，由R/W线控 制读写，设计并画出该储存器的逻辑图，并注明地点分派、片选逻辑及片选信号的极性。 3、用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的储存器。设储存器的读写周期为μs，CPU在1μs内起码要访存一次，问哪一种刷新方式比较合理相邻两行之间的刷新间隔是多少对所有储存单元刷新一遍所需的实质刷新时 间是多少 4、现有2K×1的ROM、4K×1的RAM和8K×1的ROM三种储存芯片，若用它们构成容量为16KB的储存器，前4KB为ROM，后12KB为RAM。 1）各样储存芯片分别用多少片 2）正确采纳译码器及门电路，并画出相应的逻辑构造图。 5、某计算机为定长指令字，指令字长为12位，每个地点码占3位， 试提出一种分派方案，使该指令系统包括：4条三地点指令、8条二地点指 令、180条单地点指令。 6、某计算机字长为16位，主存容量为64K字，采纳单字长单地点指令格式，共有64条指令。试说明： 1）若采纳直接寻址，指令能接见多少主存单元 2）为扩大寻址范围，采纳直接/间接寻址，需要一位间址标记位，指令的寻址范围为多少指令直接寻址的范围为多少 7、指令格式以下所示，OP为操作码字段，试剖析指令格式特色。 31 26 21 1817 1615 0 OP — 源存放器 变址存放器 偏移量 解： ①所需芯片数=16K×8/1K×1=128（片） ②板块数=16K×8/4K×8=4（块）；板块上芯片数=4K×8/1K×1=32 （片），8并4串；地点线总数 =㏒16×1024=㏒214=14（根）。 地点线中：用于选板地点线数 = ㏒4=2 ；用于选片地点线数= ㏒4=2；用于选 片内单元地点线数=㏒1024= ㏒210=10 （根）。 解： 所需芯片数=16K×8/4K×4=8（片），8片4K×4的SRAM芯片应以2并4串的 形式构成16K×8的储存器。采纳2：4译码产生片选，逻辑构造图以下： 2:4Y3 A13 译Y2 码Y 12 A Y 0=A12A13 Y 1=A12A13 Y 2=A12A13 Y 3=A12A13 0000H～0FFFH 1000H ～1FFFH 2000H ～2FFFH 3000H ～3FFFH A0～A11 CS CS CS CS CS CS CS CS RAM RAM RAM RAM RAM RAM RAM RAM D0～D3 D4～D7 R/W 解： ①用16K×1的DRAM芯片构成64K×8（KB指示单元位数是8）的随机储存器，芯片数=64K×8/16K×1=32（片）；32片16K×1的DRAM芯片应以8并4串的形式构成64K×8的随机储存器。 片应以8并2串的形式构成4K×8的只读储存器。采纳2：4译码产生片选，逻辑 构造图以下： ②16K×1的DRAM芯片是由128×128阵列构成，若集中刷新会形成128×=64μs的死区；分别刷新读写周期变长为1μs。所以不可以知足CPU在1μs起码接见一次储存器的要求，应当用异步刷新。 设刷新是2ms，则相邻两行的刷新间隔为2ms÷128=μs；对所有储存单元刷新一遍的实质时间为×128=μs。 解： 8K＞4K，所以8K×1的ROM芯片没法利用；只好用2K×1的ROM芯片构成4K×8 （KB指示单元位数是8）的只读储存器，芯片数=4K×8/2K×1=16（片）。 用4K×1的RAM芯片构成12K×8的随机储存器，芯片数=12K×8/4K×1=24 （片）。 ②16片2K×1的ROM芯片应以8并2串的形式构成4K×8的只读储存器，24片4K 1的RAM芯片应以8并3串的形式构成4K×8的只读储存器。采纳2：4译码产生片选，逻辑构造图以下： 2:4Y3 13 A 译Y4 码Y A12 ＋ ＋ A11 CS CS CS CS CS CS CS CS AA 0 10 RAM RAM RAM ROM ROM ROM ROM RAM D0 D7 解： 由题意可知，当指令为三操作数时，操作码的位数为12–3×3=3，共23=8种 编码。现使“000～011”为四条三地点数指令的编码，“100～111”四个编码把一个地 址码（三位）扩展为操作码。 用四个扩展编码中的“100”把一个地点码（三位）扩展为操作码，共有  23=8种 编码“100000～100111”为八条二地点数指令的编码，其他  3×23=24  种编码把一个 地点码（三位）扩展为操作码。 用 此中的