半导体电导率和霍尔效应.pptxVIP

半导体电导率和霍尔效应;;杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。;对于杂质浓度一定的半导体，随温度升高，载流子以杂质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从位于杂质能级附近移到禁带中线处。 费米能级既反映导电类型，也反映掺杂水平。 ;1. 半导体电导率 ;平均漂移速度和外场的关系;GaN新的散射机制;杂质激发的范围，主要是一种载流子;;2. 半导体的霍耳效应 Hall effect ;半导体片两端形成正负电荷的积累，产生静电场;—— 半导体的霍耳系数与载流子浓度成反比 —— 半导体的霍耳效应比金属强得多;5.5 非平衡载流子 ;⒈ 热平衡下电子和空穴的浓度:;在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值;⒉ 非平衡载流子对多子和少子的影响程度 ;—— 开始光照，载流子的产生率增大，同时复合率也增大 载流子的浓度偏离热平衡时的浓度;—— 单位时间、单位体积复合的载流子数目;⑵非平衡载流子的寿命?的意义： ;2) 非平衡载流子的寿命?越大，光电导效应越明显;3) 非平衡载流子的寿命?对光电导效应有着重要的意义，通 过测量光电导的衰减，可以确定非平衡载流子的寿命;2. 非平衡载流子的扩散 ;⑴一维扩散电流的讨论：;非平衡载流子的扩散是热运动的结果;方程的通解;5.6 PN 结 (自学）： ;1. 平衡PN结势垒 ;N区和P区的费密能级不相等，在PN结处产生电荷的积累 —— 稳定后形成一定的电势差;;PN结势垒作用： ;—— 抵消原来P区和N区电子费密能级的差别;扩散和漂移形成平衡电荷分布，满足玻耳兹曼统计规律;2. PN结的正向注入 ;电子扩散电流密度;边界处非平衡载流子浓度;边界处非平衡载流子浓度;注入到P区的电子电流密度;结果讨论：;3. PN结的反向抽取 ;P区边界电子的浓度;一般情况下;—— P区和N区少数载流子的产生率;反向饱和电流 —— 扩散长度一层内，总的少数载流子产生 率乘以电子电量q;4. PN结的反向击穿： ;5、PN结的电容效应：; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;8、二极管的应用:; 发光二极管是将电能转换成光能的特殊半导体器件，它只有在加正向电压时才发光。;MIS体系：金属－绝缘体－半导体;如： P型半导体;3) 正电压较小 —— 空穴被排斥，在表面处形成负电荷的耗尽层;—— 空间电荷区存在电场，使能带发生弯曲 对空穴来说形成一个势垒;表面 处x＝0相对于体内xd的电势差 —— 表面势：Vs;空间电荷区的载流子主要为电子，而半导体内部的载流子为空穴，空间电荷层 —— 反型层;形成反型层时的能带特点：;形成反型层的条件：;反型层中的电子，一边是绝缘层 —— 导带比半导体高出许多，另一边 —— 是耗尽层空间电荷区电场形成的势垒;N沟道晶体管:;2) 栅极电压达到或超过一定的阈值，Insulator_P-Si表面处形成反型层 —— 电子的浓度大于体内空穴的浓度;2、理想MIS结构：;金属的功函数Wm;半导体的功函数Ws;3、MIS结构的电容－电压C-V特性;在MIS结构的金属和半导体间加以某一电压VG后，电压VG的一部分Vo降在绝缘层上，而另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs，即;理想MIS结构的C-V特性;3、耗尽状态 VG＞0;高频时，反型层中的电子的产生和复合将跟不上高频信号的变化，即反型层中的电子数量不随小信号电压而变化，所以对电容没有贡献。;使能带恢复平直的栅电压;绝缘层电荷对MIS结构C-V特性的影响：;假设在SiO2中距离金属/SiO2的界面x处有一层正电荷;恢复平带的方法：;C～V曲线为：;八、半导体异质结： ;两种材料未构成异质PN结之前的能级图;两种半导体材料构成异质PN结之后的能级图;异质PN结界面处导带底和价带顶不连续 —— 差值;—— 两种材料的费密能级不同，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料，形成PN结势垒;异质结的“注入比”;;—— 如果N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度，即使两边 掺杂浓度差不多时，可以获得很高的注入比;光生伏特效应 —— 太阳能电池;—— 光照射下，在PN结及附近产生大量的电子和空穴对;—— 强电场将电子扫向N区 —— 强电场将空穴扫向P区;异质结的“窗口效应” ;异质结的“窗口效应” ;I am still confused.;谢谢观看！