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【doc】硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究 硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄 膜相变速度及电学输运性质研究 第31卷第3期 201i年6月 固体电子学研究与进展 RESEARCHamp;PROGRESSOFSSE Vo1.31,No.3 Jun.,2011 , 材料与工艺 ,,? 硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度 及电学输运性质研究 刘文强仝亮徐岭刘妮杨菲廖远宝刘东徐骏马忠元陈坤基 (南京大学电子科学与工程学院,南京微结构国家实验室,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093) 201O-09—30收稿,201卜01一l1收改稿 摘要:利用磁控溅射方法制备了GeSbzTe和GezSbzTes两种相变存贮材料的薄膜.原位x射线衍射(xRD)的 结果表明,随着退火温度的升高,Ge.SbTe和GeSb.Te薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结 构,再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,GeSbTe比Ge.SbTe.结 晶更快.原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,GezSbTe的热致晶化速率更快.而且GeSbTe非 晶态与晶态的电阻差值更高.故GeSbTe比GeSb.Te更适合作为相变存储器的材料.另外,对两种薄膜的电学 输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,GeSb.Te材料电导的变化是迁移率和 载流子浓度共同作用的结果, 而GezSbzTes材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起. 关键词:相变存贮材料;GelSb2Te4;Ge2Sb2Tes 中图分类号:TN304;O484.4文献标识码:A文章编号:1000—3819(2011)03—0310— 05 StudyofTransitionSpeedandElectricalTransp0rtati0nProperties ofGelSb2Te4andGe2Sb2TesChalcogenidePhase—changeMaterials LIUWenqiangTONGLiangXULingLIUNiYANGFeiLIAOYuanbaoLIUDong XUJunMAZhongyuanCHENKunji (NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures,JiangsuProvincialKeyLaboratory ofPhotonicandElectronicMaterialsSciencesandTechnology,andSchoolofElectronicScience andEngineering,NanjingUniversity,Nanjing,210093,CHN) Abstract:TheGe1Sb2Te4andGe2Sb2T.5thinfilmsweredepositedbyradiofrequencymag— netronsputtering.XRDmeasurementshowedthatwithtemperatureincreasingstructureof Ge1Sb2T.4andGe2Sb2T5changedfromamorphoustoface—centered— cubicstructure,andfinallyto hexagonalstructure.FromtheresultsofXRDandresistancemeasurement,wegotthat Ge2Sb2TscrystallizesfastthanGe1Sb2T.4andhasalargerdifferenceofresistancebetweenamor— phousstateandcrystallinestate.SoGe2Sb2T5ismoresuitablefordatastorage.Measurementof HallEffectgivestheconclusionthatconductivityofGelSb2Te4isdominatedbyHallmobilityand carrierconcentrationboth,whileconductivityofGe2Sb2Tesismainlydominatedbycarrierconcen— tration. Keywords:phasechangematerials;GelSb2T4;Ge2Sb.Te5 EEACC:252OF;73lOZ ?基金项目:国家自然科学基金资助项目50872051);国家自然科学基