AgO共掺实现p型氮化铝纳米管电子结构的第一性原理研究.docx

? ? Ag，O共掺实现p型氮化铝纳米管电子结构的第一性原理研究 ? ? 熊明姚，张 锐，文杜林，苏 欣 (1.伊犁师范大学物理科学与技术学院，伊宁 835000；2.伊犁师范大学新疆凝聚态相变与微结构实验室，伊宁 835000) 0 引 言 AlN是一种宽带隙半导体材料，在室温下直接带隙为6.2 eV，具有良好的光学、电学特性[1-2]。这些优异的性能使AlN成为一种很有前景的材料，被广泛应用于发光二极管、激光二极管、光电探测器和太阳能电池等领域[3-6]。 自碳纳米管被Iijima[7]发现以来，碳纳米管以其独特的结构、电学性能引起了人们的广泛关注[8-9]。在此背景下，科研工作者们提出了元素周期表中第三主族(Ⅲ：B、Al和Ga)和第五主族(V:N、P和As)基团的对应原子作为碳纳米管的可能替代品[10-12]。Hao等[13]和Zhao等[14]对(6, 0)氮化铝纳米管的电子结构进行了研究，虽然得到的氮化铝纳米管的带隙不同，但最终计算结果都表明(6, 0)氮化铝纳米管是直接带隙。 通过掺杂金属和非金属原子对氮化铝纳米管进行化学修饰能够有效地改善其电学性能。如Baei等[15]研究发现非金属Si分别取代(6, 0)氮化铝纳米管中的Al和N表现出n型和p型半导体特性且导电性能得以提高。Zhang等[16]采用3d过渡金属掺杂氮化铝纳米管，发现经过V和Ni修饰的(5, 5