g-C3N4基异质结的光催化应用研究进展.docxVIP

? ? g-C3N4基异质结的光催化应用研究进展 ? ? 杨思琪，郑永杰，张宏瑞，赵云鹏，田景芝 (1.齐齐哈尔大学化学与化学工程学院，齐齐哈尔 161006；2.齐齐哈尔市检验检测中心，齐齐哈尔 161005) 0 引 言 近年来，能源短缺和环境污染问题引起了全世界的广泛关注[1]。为保证人类的可持续发展，迫切需要开发可再生能源和去除污染的绿色技术。在现有的技术中，半导体光催化技术具有巨大的发展潜力[2]。半导体光催化技术是指在光的照射下，将光能转化为化学能，并促进有机物的合成或降解的过程。光催化反应分为三个基本过程：(1)当光照射半导体纳米粒子的能量大于或等于其带隙能时，产生电子空穴对；(2)纳米材料中的缺陷和悬键俘获电子和空穴，并将它们扩散到微粒表面；(3)光生电子和空穴吸附催化剂表面的物质发生氧化还原反应[3]。因此，上述三个过程的改进对提高光催化性能具有重要作用。早在1972年，两位光催化反应的开拓者Fujishima和Honda[4]报道了在n型半导体TiO2电极上光致分解水能生成O2和H2。但TiO2仅对紫外线吸收较好，可见光利用率很低[5-6]，导致光催化剂的实际应用受到限制。 石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种新型的非金属n型半导体光催化材料，g-C3N4中的C和N原子以sp2杂化形成高度离域的π共轭体，通过叔胺连接的三s-三嗪独特的二维结构(见图1)，使其具有较高的热稳定性和化学稳定性[7]。g-C3N4的禁带能量为2.7 eV，光电转换更容易，可直接被可见光激发[8-9]。太阳能驱动的g-C3N4光催化剂可用于分解水制氢，降解有机污染物，将CO2还原为有机燃料，或将太阳能转换为其他形式的能源等，在环保领域具有较好的应用前景[10]。但是由于g-C3N4比表面积较小，在460 nm处吸收蓝光，导致可见光利用率较低，光生电子和空穴容易复合，光催化活性较低。近些年，研究者们已经采用了各种方法以提高g-C3N4的光催化效率，如形貌调控、元素掺杂、贵金属沉积和异质结的构建等。单组分光催化剂很难具有宽的光吸收范围、快速的电荷分离以及强的氧化还原能力，可以通过将g-C3N4半导体与一种或多种不同的半导体组合成异质结来调整光催化剂的特性，从而制备优良的复合光催化剂。g-C3N4基异质结的构建实现了太阳能的高效利用，提高了载流子的分离效率和光催化活性[11-13]，并在光催化领域表现出巨大的潜力。 图1 g-C3N4的三s-三嗪的二维结构示意图[7]Fig.1 Tri-s-triazine-based two-dimensional structure of g-C3N4[7] 本文综述了g-C3N4基异质结光催化剂的设计及其对光生空穴的分离和转移机制的研究，以及在环境污染和能源问题中的应用。最后总结了g-C3N4基异质结催化剂目前存在的问题，并对今后的研究重点和方向进行展望。 1 g-C3N4基异质结的类型 构建g-C3N4异质结是将g-C3N4与窄带隙光催化剂耦合，不仅可以促进光诱导电荷转移，还提高了可见光利用率和光催化性能[14-16]。根据其电荷转移路径的不同，可分为Ⅱ型异质结、Z型异质结、S型异质结、p-n异质结和肖特基异质结。本文重点介绍了g-C3N4基Ⅱ型异质结、g-C3N4基Z型异质结和g-C3N4基S型异质结。 1.1 g-C3N4基Ⅱ型异质结 通过在两种半导体光催化剂之间构建特殊的接触界面，以及能带结构的交错，以促进光诱导电子和空穴的分离，这是传统的Ⅱ型异质结[17]。如图2(a)所示，在Ⅱ型异质结的转移路径中，当材料受外界光辐射激发时，光催化剂Ⅰ(PC Ⅰ)与光催化剂Ⅱ(PC Ⅱ)产生光生电子-空穴对，随后PC Ⅱ导带(conduction band, CB)上的电子将转移到PC Ⅰ上，同时PC Ⅰ价带(valence band, VB)上的空穴会转移到PC Ⅱ上，实现光生电子-空穴的分离。g-C3N4的CB电位通常在-1.1 eV，比一般的半导体催化剂更负，因此在可见光的照射下，其CB上的光激发电子可以快速迁移到更高电势的另一个半导体催化剂的CB上，同时空穴以相反路径传输。 图2 不同类型的g-C3N4异质结。(a)Ⅱ型异质结；(b)Z型异质结电荷转移机制；(c)具有交错带结构的S型异质结Fig.2 Different types of g-C3N4 heterojunction. (a) Type Ⅱ heterojunction; (b) charge transfer mechanism of Z-type heterojunction; (c) S-type heterojunction with intersecting zone structure TiO2以其价格低廉、储量丰富