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提供了一种使用锡基材料作为心轴、硬掩模及衬垫材料来图案化半导体材料的方法及设备。本揭示案的一或更多个实施方式在多种图案化应用期间使用氧化锡及/或碳化锡材料作为硬掩模材料、心轴材料及/或衬垫材料。氧化锡或碳化锡材料相对于其他高选择性材料如金属氧化物(例如TiO2、ZrO2、HfO2、Al2O3)更容易剥离，以避免影响关键尺寸及产生缺陷。此外，氧化锡及碳化锡具有低折射率、低k值，并且在663纳米以下是透明的以用于光刻覆盖。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457919 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202180077490.3 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理
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