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本实用新型涉及一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架，所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛；所述左侧基岛上设有第一装片区域，所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域，所述左侧基岛打线区域的形状为等腰梯形；所述右侧基岛上设有第二装片区域，所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域，所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状，其与所述等腰梯形形状契合。本实用新型增加了装片区域面积，使其能够装配较大尺寸芯片，且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219371016 U
(45)授权公告日 2023.07.18
(21)申请号 202320013726.3
(22)申请日 2023.01.04
(73)专利权人 西安迈驰半导体科技有限公司
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