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全控器件和其他新型器件;第一章 电力电子器件;1.3 典型全控型器件;常用的典型全控型器件;1.3.1 门极可关断晶闸管(GTO);结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多GTO元并联的功率集成器件。;图 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理;1.3.1 门极可关断晶闸管;开通过程：与普通晶闸管相同；ton=td+tr 关断过程：不同于晶闸管 储存时间ts，抽少子使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf ：由饱和转至放大区； 尾部时间tt —残存载流子复合。 toff=ts+tf;1.3.1 门极可关断晶闸管;1.3.1 门极可关断晶闸管;1.3.2 电力晶体管（GTR）;与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，多采用NPN。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 比普通三极管增加了一个低掺杂N区，提高耐压能力。;1.3.2 电力晶体管;1.3.2 电力晶体管;1.3.2 电力晶体管;1.3.3 电力场效应晶体管;1.3.3 电力场效应晶体管;1.3.3 电力场效应晶体管; 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反 型成N型而成为反型层，该反型 层形成N导电沟道而使PN结J1消失， 漏极和源极导电 。;1.3.3 电力场效应晶体管;1.3.3 电力场效应晶体管; 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton=td(on) +tr 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff=td(off)+tf; MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达500kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率，但很小。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。;3. 电力MOSFET的主要参数 ; 绝缘栅双极晶体管（IGBT）;1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E;N沟道MOSFET与GTR组合??—N沟道IGBT。 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，从而具有电导调制效应，具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。;? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通(电压驱动功率小)。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。;a);; 绝缘栅双极晶体管;3) IGBT的主要参数;IGBT的特性和参数特点可以总结如下：;1. 4 其他新型电力电子器件;1.4.1 MOS控制晶闸管MCT;1.4.2 静电感应晶体管SIT;1.4.3 静电感应晶闸管SITH;1.4.4 集成门极换流晶闸管IGCT;1.5 功率集成电路与集成电力电子模块;第一章 电力电子器件; 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路（如大功率二极管）。 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。（晶闸管及其派生器件，GTO除外） 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。（其他器件，如IGBT等）; 脉冲触发型 ——通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。(半控器件) 电平控制型 ——必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。;按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可分为三类： ;图1-26　电力电子器件分类“树”; 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。