作业13-集成工艺答案.docVIP

1) 设计制作如下图所示的E/D NMOS的工艺步骤（不需要详细时间/温度）。注意：两个MOS结构上完全相同，只是耗尽型器件的沟道需要另外增加一次离子注入以便形成负的VT；耗尽型NMOS的栅和源直接连接。仿照课堂上介绍的CMOS工艺流程画图示意该E/D NMOS的主要工艺步骤。假定多晶硅由LPCVD制作，1.5?m厚的氧化硅由PECVD 2) 假定衬底掺杂浓度为1015cm-3，源漏的掺杂浓度为1020cm-3，结深为0.5?m，阈值电压调节注入时要求表面掺杂浓度为1017cm-3，而且在距表面0.5?m处降至与衬底浓度相同。根据你设计的工艺步骤，i)设计LOCOS和栅氧化所需的气氛，计算LOCOS所需的氧化时间和温度。ii)计算形成源漏和两个阈值电压调节所需的离子注入剂量。iii)计算上述三个离子注入区域的 解：