国防科技大学《材料科学基础》课件-第5章材料塑性变形及再结晶.pptxVIP

The plastic deformation of materials;※ 1. 弹性和粘弹性(Elasticity and Viscoelasticity);r=r0 原子处于平衡位置位能 U 为 Umin 最稳定 F=0 r r0 即偏离其平衡位置 F＞引力 ＜斥力 力图使原子恢复其原来的平衡位置 变形消失;应力-应变关系(Stress-Strain behavior) 虎克定律(Hooke’s law);三弹性的不完整性;四粘弹性;※ 2. 单晶体（Single Crystal）的塑性变形;— 滑移（Slip）;2.滑移的晶体学特征;晶体结构不同，滑移系的数目不同（Number of slip systems） fcc：{111} 有四组，而每个(111)面上共有三个[110]， 故共有4×3＝12个滑移系;3. 滑移所需临界分切应力 Critical（resolved）shear stress;晶体滑移必须使t≥ tc;快速确定具有最大取向因子cosφcosλ的滑移系方法;4. 晶体在滑移时的转动 （rotation）;转动的原因两对力偶：;晶体滑移 晶体转动 位向变化;综上所述，滑移变形的基本特点：;二 孪生 （Twin）;不同晶体结构往往有不同孪生面和孪生方向： fcc：{111}112 hcp:{1012}1011 bcc: {112}111;孪生临界切应力比滑移的大得多，只有在滑移很难进行的条件下才会发生。例如，Mg孪生所需tc=4.9~34.3MPa,而滑移时tc仅为0.49MPa。但孪晶的长大速度极快（与冲击波的速度相当）有相当数量的能量被释放出来，故常可听见明显可闻“咔、嚓”声，也称孪生吼叫。;孪生的主要特点： Ⅰ）孪生是均匀切变，;三扭折Kink;四 塑变的位错机制;位错运动首先遇到点阵阻力——派纳力：;晶体的滑移过程不仅没有降低位错数量，反而大大增加，这意味着，在变形过程中位错以某种机制增殖了。 （1）Frank－Read 位错源（Frank－Read Source）由弗兰克－瑞德源提出的一种位错增殖机制;刃位错AB的两端A和B被位错用结点钉扎住;（2）双交滑移位错增殖机制;扩展位错束集时，不仅两不全位错的间距减小，层错宽窄，;（1）两个互相垂直的刃位错的交割：;（3）两螺型位错的交截 AA运动BB固定;会在其后留下一对拉长了的刃位错线段（常成为位错偶）。这种位错偶为降低应变能经常会断开而留下一个长的位错偶，使位错仍回复原来带割阶的状态，而长的位错偶又常会再进 一步裂成小的位错环。 c）割阶高度再20nm以上，此时割阶两端的刃位错相隔 ??远，它们之间的相互作用较小，它们可以各自独立地在各自的滑移面上运动，并以割阶为轴，在滑移面上旋转。这实际上也是在晶体中产生位错的一种方式。;D 位错的塞积pile-up of dislocation;平衡时;n↑t↑，塞积群中的螺位错可通过交滑移越过障碍 t↑↑甚至可把障碍物摧毁 如塞积群位于晶界，应力集中达到一定值后，也可促发相邻晶粒位错源开动 2. 孪生的机制 孪晶区域各晶面的相对位移距离是孪生方向原子间距的分数值，这表明孪生时每层晶面的位移应借一个不全位错的移动而造成。 位错增殖的极轴机制：fcc 中OA、OB和OC三条 位错线相交于结点O，OA、OB不在滑移面上，属不 动位错——极轴位错，OC为可动的不全位错，且只 能绕极轴转动，每当它在（111）面上扫过一圈，就产生一个单原子层的孪晶，同时又沿着螺旋面上升一层，这样不断转动，上述过程逐层地重复进行，就在晶体中形成一个孪晶区域。 至于扭折带晶体位向有突变，这个取向改变的过渡区系由一系列同号的刃型位错排列所构成。;※ 3. 多晶体的塑性变形 Plastic Deformation of polycrystalline Materials;多晶体塑性变形时要求至少有5个独立的滑移系进行滑移。 ∵任意变形均可用exx eyy ezz nxy nyz nxz fcc, bcc 滑移系多→塑性好 hcp 滑移系少→塑性差 二. 晶界的阻滞效应 多晶体塑性变形的另一个特点是晶界对变形过程的阻碍作用。对只有2~3个晶粒的试样拉伸后呈竹结状。;位错在晶界上产生塞积;注意 ⑴ 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差 ⑵ 晶界阻滞效应只在变形早期影响较大，因早期ρ位错较小 ⑶ 晶界阻滞效应的大小还与晶体的结构类型有关 hcp结构的晶界阻滞效应要比 fcc，bcc 类型的晶体明显 滑移系较小 三晶粒大小对机械性能的影响 1. 对室温机械性能的影响 晶粒愈细、晶界愈多→强化效应↑－细晶强化;Hall-Petch公式：;高温时则不同，有两种不同的变形机制： 晶粒沿晶界滑动（晶