电压关断型缓冲器的基本类型及其工作原理.docxVIP

本文较深入地讨论了两种常用模式的RCD Snubber电路：抑制电压上升率模式与电压钳位模式，详细分析了其各自的工 作原理，给出了相应的计算公式，最后通过实验提出了电路的优化设计方法。 RCD Snubber 电路的基本类型及其工作原理 RCD Snubber是一种能耗式电压关断型缓冲器，分为抑制电压上升率模式和电压钳位模式两种类型，习惯上前者称 为RCD Snubber电路，而后者则称为RCD Clamp电路。 为了分析方便，以下的分析或举例均针对反激电路拓扑，开关器件为功率MOSFET。 Vce* Vce* 图1常用的RCD Snubber电路 抑制电压上升率模式 对于功率MOSFET来讲，其电流下降的速度较GTR或IGBT快得多，其关断损耗的数值要比GTR或IGBT小，但 是这个损耗对整个小功率的电源系统也是不容忽视的。因此提出了抑制电压上升率的RCD Snubber。 如图1所示，在开关管关断瞬间，反激变压器的漏感电流需要按原初始方向继续流动，该电流将分成两路：一路在 逐渐关断的开关管继续流动;另一路通过Snubber电路的二极管Ds向电容Cs充电。由于Cs上的电压不能突变，因而降低了开 关管关断电压上升的速率，并把开关管的关断功率损耗转移到了 Snubber电路。如果Cs足够大，开关管电压的上升及其电流的 下降所形成的交叉区域将会进一步降低，可以进一步降低开关管的关断损耗。但是Cs的取值也不能过大，因为在每一个关断期 间的起始点（也就是开通期间的结束点），Cs必须放尽电荷以对电压上升率进行有效的抑制;而在关断期间的结束点，Cs虽然能降 低开关管电压的上升时间，但其端电压最终会达到（）（为忽略漏感时的电压尖峰，为次级对初级的反射电压）。 关管导通的瞬间，Cs将通过电阻Rs与M所形成的回路来放电。Snubber的放电电流将流过开关管，会产生电流突 波，并且如果某个时刻占空比变窄，电容将不能放尽电荷而不能达到降低关断损耗的目的。 可见，Snubber电路仅在开关过渡瞬间工作，降低了开关管的损耗，提高了电路的可靠性，电压上升率的减慢也降 低了高频电磁干扰。 电压钳位模式 RCD Clamp不同于Snubber模式，其目的是限制开关管关断瞬间其两端的最大尖峰电压，而开关管本身的损耗基 本不变。在工作原理上电压钳位模式RC的放电时间常数比抑制电压上升率模式更长。 以图2为例分析电路的工作过程，并且使用工作于反激式变换器的变压器模型。反激式变压器主要由理想变压器、 激磁电感与漏感组成。 图2反激式变换器的Clamp电路 会发生高频谐振而使开关管DS两端电压升高，但是由于漏感产生的VSPIKE的能量能够及时转移到CC中，而使CC的 端电压从次级反射电压VOR上升到最大值(VOR+VSPIKE);当开关管导通时，CC通过电阻RC放电，这样在下个周期开关管关 断前，能够使得CC的端电压从(VOR+VSPIKE)恢复到VOR。这样，只要能够合理设置时间常数，就能保证在一个周期内将漏 感转移到CC中的能量释放完毕。 CC端电压在理想情况下基本上是恒定的，仅在充、放电时存在一个变化量VSPIKE。而漏感的电流始终和初级电流 串联的，所以漏感电流的下降过程就是次级电流的上升过程。而漏感电流的下降过程是由RCD Clamp电路CC上的压降和反射 电压VOR的差值决定的，差值越大电流下降就越快，能量传输也越快，因而效率会明显提高。所以，此时开关管DS的电压为 (+VOR+VSPIKE)。这样漏感两端的电压将为VSPIKE(一般可取10V20V)，如图3所示。由法拉第定律可知因漏感引起的初、 次级能量传输的延迟时间为：(8)其中，IP为在开关管关断时电感的峰值电流。 r. r. 图3关断瞬间开关管DS电压与其电流波形 如果电路参数选择适当，RCD Clamp电路两端的电压尖峰将通过CC来吸收，并且需要达到能量平衡，因漏感而产 生的能量将完全消耗在RC上。 实验结果分析 实验中采用一个输出功率为3.5W的反激式开关电源样机，其主要参数如下: PO=3.5W;VIN=220VAC;fs=43kHz;IP=0.1A;LP=6.63mH ;=87i.3mH;NP=75；NS=12 次级对初级的反射电压，取 VOR=80V。另取 VSPIKE=20V;开关管选用 SMP4N100，其 tr=18ns。 Snubber电路参数选择及相关波形图 经计算得出: CS=2.143pF,RS=4.2k健？由于几pF的电容不容易得到，故可以用10个22pF的瓷介电容串联来等效代用。有RCD 图4有Clamp无Snubber的波形 J4C VT64 V11酣怕0.00 $ J4C V T64 V 11酣怕 0.00 $ - lift.硕II姑 图 5 Clamp+Sn