SJT 10056-19912CZ59型硅整流二级管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范SJ/TZ59型管壳额定硅整流二极管Detail specification for electronic componentsCase-rated silicon rectifier diode for type 2Cz59本标准适用于2CZ59型管壳额定硅整流二极管，它是按照GB6351-86《100A以下环境和管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》标准制订的，符合.GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施- 1 - SJ/T 10056--91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路SJ/T 10056—91总规范》GB12560《半导体器件分立器件分规范》。2CZ59型硅整流二极管详细规范订货资料：见本规范第7章。2简略说明1机械说明管壳额定整流二极管外形标准：符合GB7581-87《半导体分立器半导体材料：硅件外形尺寸》中C1--01D型的规定。封装：空腔外形图见10.2。应用：在电子设备中作整流用引出端的识别：（如图所示）箭头指向负极端。03质量评定类别I类→参考数据：VxRM1(Av)VrM(V)(A)(V)100~2000201. 6- 2 SJ/T10056-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用数值条文号名称符号单位最小值最大值4.1管壳温度Tcase135℃-554. 2贮存温度Tstgc-551504. 3有效结温T(vi)℃1504. 4电压4. 4.1反向重复峰值电压VRRMV2CZ59C1002CZ59Dv2002CZ59EV300V2CZ59F4002CZ59GV500v2CZ59H600V2CZ59J700V2CZ59K800V2CZ59L900v2CZ59M10002CZ59NV1200v2CZ59P14002CZ59QV1600V2CZ59R1800V20002CZ59S4.4.2反向工作峰值电压VrwM2CZ59Cv100200v2CZ59D2CZ59Ev300v2CZ59F400V2CZ59G5002CZ59HV600v2CZ59J700v2CZ59K800V2CZ591.9002CZ59M1000Vv2CZ59N1200V2CZ59P1400V2CZ59Q1600v2CZ59R18002CZ59SV20004.4.3反向不重复峰值电压VrwMV2CZ59C140v2CZ59D2702CZ59Ev400—3 SJ/T 10056--91续表数值条文号名称符号单位最小值最大值V2CZ59F540V2CZ59G670v2CZ59H800V2CZ59J9402CZ59K1070vV2CZ59L1200v2CZ59M13402CZ59Nv16002CZ59PV18702CZ59QV2140v2CZ592CZ59S4. 5电流4.5.1在规定的转折点温度Tbreak下的平均正向电流。Ir(AV)20A在单相电路中，电阻性负载的条件下，正弦波的导通角为180°时。4.5.5正向（不重复)浪涌电流I rsM420A在最大平均正向电流下连续工作之后加的正弦半波(50Hz10ms)电流的最大允许值。不加反向电压。4.5.6Itmax正弦半波（50Hz10ms）的最大值，不加反It880As向电压（初始结温T(vi）=25℃）4. 7机械额定值安装转矩Md2N·m5电特性检验要求见本规范的第8章。数 值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定Tcasc=25℃分组最小值1最大值5. 1正向电压5. 1. 1在峰值电流为π倍额定最大平均正向电流VFM1.6VA2bIr(Av)时的电压最大值（π取3）。5. 2反向电流在额定电压VRRM时，反向峰值电流InM的最大值5. 2. 1在 Tcase=25℃，无正向耗散时IxMI0.12mAA2b5. 2. 2在Tcase=150℃，无正向耗散时I xM24.0mAC2b热阻5. 52.0R(th)j-c℃ /wC2d6 标志-4 SJ/T 10056-916.1器件上的标志6.1.1引出端识别：如极性与第1章规定相反，应在型号后加“(R)以示区别。6.1.2型号和质量评定类别。6.1.3制造单位、代号或商标。6.1.4检验批识别代码。6.1.5其他。6.2包装盒上的标志6.2.1器件名称、型号、质量评定类别。6.2.2制造单位名称和商标。6.2.3检验批识别代码。6.2.4其他。7订货资料7.1产品名称、型号、质量评定类别。7.2订货数量。7.3产品的详细规范号。7.4