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- 2023-08-05 发布于四川
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本发明涉及一种高线性度低压输入缓冲器电路，其包括：NMOS晶体管MN1、MN3和MN2、MN6分别构成正负输入端的主缓冲器；PMOS晶体管MP1、MP3和MP2、MP4分别构成辅助缓冲器；NMOS晶体管MN3、MN4和MN5、MN6分别构成复制电流放大器，复制电容Cc的两端分别连接辅助缓冲器的正负输出端，本发明采用辅助缓冲器对主缓冲器负载效应进行模拟，产生负载电流的复制电流，然后通过电流放大器将复制电流镜像到主缓冲器的负载晶体管，通过该负载晶体管对负载电容充放电，从而保持输入晶体管电流恒定，消除
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111756375 A
(43)申请公布日 2020.10.09
(21)申请号 202010589767.8
(22)申请日 2020.06.24
(71)申请人 成都华微电子科技有限公司
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