第八章光电传感器分解.pptVIP

第8章　光电传感器 ; 　8.1　光电传感器的基本效应　半导体的粒子特性　　光敏器件所探测的光包括可见光、紫外线和红外光，在整个电磁辐射的频谱中只占很小一部分。光具有波粒二象性，光的粒子性可用光子的概念描述。　　沿r方向传播的频率为ν的单色光可视为一束光子流，其中每个光子具有的能量Q和动能E分别为;;即根据能量守恒定律，光源只能发出由式(8.4)描述的光子，只有符合式(8.5)的光子才能被介质吸收。吸收和发射只有在计及光子动量并服从准动量守恒定则(选择定则)时才能发生。　　光在半导体中传播时的衰减是半导体内电子吸收光子后从低能态向高能态跃迁的结果。在其诸多吸收过程中，本征吸收是光敏器件的工作基础。本征吸收又称基本吸收，其相应的跃迁过程是：价带电子吸收了能量大于或等于禁带宽度的光子后，跃至导带，产生自由电子，并在价带留下自由空穴。因此，在本征吸收时，每吸收一个光子，就产生一个电子-空穴对。由于在本征吸收过程中被吸收的光子要满足的条件是 hν=Eg (8.6);　半导体光电效应　　半导体光电效应是半导体中束缚电子在吸收光子后所产生的电学效应，它是各类光敏器件工作的基本原理。　　半导体光电效应可分为外光电效应和内光电效应两大类。　　　　半导体内的电子在吸收光子后，如能克服表面势垒逸出半导体表面，则会产生外光电效应。光电管、光电倍增管等就是基于外光电效应制成的光电器件。　　半导体内的电子在吸收光子后不能跃出半导体，所产生的电学效应称为内光电效应。内光电效应按其工作原理可分为光电导效应和光生伏特效应。内光电效应的种类很多，可据此制成不同的光敏器件。; 　　8.2　外光电效应光电器件　光电管　　光电管的结构如图8.1所示。在一个抽成真空的玻璃泡内装有两个电极：阳极和光电阴极(简称阴极)。当阴极受到适当波长的光线照射时便发射光电子，光电子被带正电位的阳极所吸引，这样在光电管内就有电子流，在外电路中便产生了电子流，输出电压。光电流的大小与照射在光电阴极上的???强度成正比，并与光电阴极的材料有关。当光通量一定时，真空光电管阳极电压与阳极电流的伏安特性曲线见图8.2。;;;　　光电管除真空光电管外，还有充气光电管。这两种光电管的结构基本相同，所不同的只是在充气光电管的玻璃泡内充有少量的惰性气体，如氩或氖。当光电极被光照射而发射电子时，光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子使其电离，从而使阳极电流急速增加，提高了光电管的灵敏度。但其稳定性、频率特性等都比真空光电管的差。图8.3给出了充气光电管的伏安特性曲线。;;　光电倍增管　　光电倍增管的结构如图8.4所示。它在玻璃管4内由光电阴极1(K)、若干个倍增极2(Dn，n=4～14)和阳极3(A)三部分组成。由一定材料制成的光电阴极K受入射光Φ照射时，可发射出光电子，形成光电流iΦ。因倍增极和阳极上加有一定的电位(图中经分压电阻获得)，故光电阴极发射的光电子被第一倍增极D1的正电压所加速，而轰击第一倍增极D1，打击出二次电子。同样，二次电子又被第二倍增极D2的正电压所加速，而轰击第二倍增极D2，打击出更多的二次电子。依次下去，最后全部二次电子被带正电位的阳极A所收集，形成光电流i。如果在光电阴极上由于入射光的作用发射出;一个电子， 则这个电子将被第一倍增极的正电压所加速而轰击第一倍增极。设这时第一倍增极有σ个二次电子发出，这σ个电子又轰击第二倍增极，而其产生的二次电子又增加σ倍。经过n个倍增极后，原先一个电子将变为 σn个电子。这些电子最后被阳极所收集而在光电阴极与阳极之间形成电流i，则 　　i=iΦσn (8.7)故输出电压 Usc=iR=iΦσnR (8.8);; 　　8.3　光电导效应及光电元件　光敏电阻的结构及原理　　光敏电阻的光谱特性是选择光敏电阻器的重要依据。根据光敏电阻的光谱特性，目前常用的有三种光敏电阻器：紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器和可见光光敏电阻器。　　紫外光敏电阻器对紫外线较灵敏，包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等，用于探测紫外线。　　红外光敏电阻器主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟等光敏电阻器，广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体探测、红外光谱、红外通信等。;　　可见光光敏电阻器包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等，主要用于各种光电控制系统，如光电自动开关门户，航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭，自动给水和自动停水装置，机械上的自动保护装置和位置检测，零件的厚度检测，照相机自动曝光装置，光电码盘，光电计数器，烟雾报警器，光电跟踪系统等。　　图8.5为某光敏电阻的结构及电路符号。用来制作光敏电阻的典型材料有硫化镉(CdS)及硒化镉(C