手机电池保护板知识讲解.docxVIP

保护板知识解说 1、保护板的主要保护功能： 过充电保护功能 过放电保护功能 过电流保护电流包括过流1过流2 短路保护 2、主要器件 IC它由精准的比较器来获得保护可靠的保护参数，主要参数： -过充电压 -过充恢复电压 -过放电压 -过放恢复电压 -过流检测电压 -短路保护电压 -耗电 MOSFET串在主充放电回路中，担当高速开关，履行保护动作。我 司所用的都是串在B-P-间。MOSFET包含三个电极：漏极（D）源 极（S）栅极（G）；当G极为高电平时，D极与S极导通，当G极 为低电平时，D极与S极断开。 主要参数: -内阻 -耐电流 -耐电压 -内部是否连通 -封装 FUSEPTC：二次保护器件。 电流导通流程图： 正极:B+FUSEP+ 负极:B-  MOS(2、3)脚  MOS（1）脚 MOS（8）脚  MOS（5、6）脚夫  P- -往常状态：当电芯电压在2。5V---4。2V之间，IC的充电控制脚（第 1脚）和放电管控制脚(第3脚)同时处于高电平,充电MOS、放电MOS同时翻开，B-与P-连通,保护板有输出电压,能正常允放电. -过放状态:当电池接上手机等负载后，电芯电压渐渐降低，同时IC同 部经过R1电阻实时监测电芯电压，当电芯电压降到IC的过放保护电压时，IC放电控制脚（第1脚）输出电压为0V，即低电平,放电MOS封闭,无输出电压。 -过充状态：当电池经过充电器充电时，随着充电时间的增加，电芯 电压越来越高，当电芯电压升高到过充保护电压时，IC将认为电芯处于过充电电压状态，IC的充电控制脚（第3脚）输出为低电平，即0V；此时充电MOS管封闭，B-与P-处于断开状态，充电回路切断， 充电停止。保护板处于过充状态并一直保持。等到P+P-之间接上负载后，因此时虽然充电管处于封闭状态，但其内部的二极管的正方向与放电回路的方向相同，故放电回路能够放电，当电芯电压被放低至过充电恢复电压以下时，充电管又导通，电芯的B-与保护板的P-又从头接上，电芯又能正常的充放电。 -过流及短路保护：当电池的负载电流超过IC的过流保护值时,IC的放电控制脚（第1脚）输出低电平，MOS管封闭。 3、常有的问题点： -内阻大：决定电池内阻的器件有PCB的线阻，MOS管的导通内阻， FUSE的内阻，电芯内阻及镍片的电阻。 解决方法：首先判断电芯内阻（一般要求小于60mΩ）是否超过标准， 其次是测试保护板内阻（一般要求小于60mΩ）、FUSE内阻（一般要 求小于15mΩ），最后检查镍片及接触电阻（一般要求小于15mΩ） -无电压无内阻（不能充放电等）：无电压无内阻往常是充电MOSFET封闭或放电MOSFET封闭或充放电MOS同时封闭，致使MOS管封闭的原因有IC不能正常工作或MOS管自己破坏或MOS连锡，虚焊。 解决方法：先检查IC第5脚电压电否正常（电压与电芯电压相同）， 第6脚与B-是否连好，电芯电压是否正常，R1电阻是阻值是否正确，R1是否虚焊。其次检查IC的充电控制脚（3脚）和放电控制脚（5 脚）电压是否正确（在往常的状态，IC的1、3脚都是高电平，等于 电芯电压）。再次检查MOS是否短路，虚焊。 无ID（热敏）：ID电阻一端连结保护板的P-端子，一端连结保接保护板的ID端子，若有此类问题时，可首先确认线路是否导通，其次可确认电阻本身是否不良或是否连锡。 短路保护、过流保护不良：可先检查R2是否虚焊，IC的过流检测端 子（IC的第2脚）是否虚焊，若无以上两种不良，那么应是IC本身 破坏。